巨磁阻效应实行 陈诉 _巨磁阻效应实行 陈诉 灵敏 度（巨磁阻效应的机制）

摘要： 巨磁阻效应是磁阻效应的一种，它出如今由磁性子料和非磁性子料瓜代构成的薄膜层中，这种薄膜层的厚度通常只有几纳米在这种布局中，物质的电阻值取决于铁磁性子料薄膜的磁化方...

巨磁阻效应是磁阻效应的一种，它出如今 由磁性子 料 和非磁性子 料 瓜代 构成的薄膜层中，这种薄膜层的厚度通常只有几纳米在这种布局 中，物质的电阻值取决于铁磁性子 料 薄膜的磁化方向当两层磁性子 料 的磁化方向相反时，电阻值明显 增长 ，且在外加磁场作用下，电阻值会履历 大幅变革 巨磁阻效应已被乐成 应用于。

以下是磁电阻传感器的丈量 及应用实行 原理原理磁电阻效应是指在磁场作用下，质料 的电阻率随磁场方向和巨细 的变革 而发生变革 这种效应被称为巨磁电阻效应，奠定 了磁电阻传感器的物理依据丈量 磁电阻传感器可以通过变更 旋转磁场在元件中的方向来改变电阻率，并将局部电压变革 转换为相干 物理量的丈量 。

巨磁阻效应是一种量子力学和凝结 态物理学征象 ，磁阻效应的一种，可以在磁性子 料 和非磁性子 料 相间的薄膜层几个纳米厚布局 中观察到这种布局 物质的电阻值与铁磁性子 料 薄膜层的磁化方向有关，两层磁性子 料 磁化方向电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种大概 取向在过。

在国际舞台上，邢定钰传授 的影响力也不容忽视2002年，他荣获了国家天然 科学二等奖，这是中国科研职员 的顶级荣誉之一同年，他还受邀在美国物理学年会上，以“磁纳米布局 中的巨磁电阻和量子效应”为主题举行 了一场备受瞩目标 陈诉 他的学术成绩 并未止步于此，2007年，邢定钰传授 当选为中国科学院院士，这。

在颗粒膜的巨磁电阻效应磁光效应和自旋波共振等方面做出了创新性的结果 在国际上初次 发现纳米类钙钛矿化合物微粒的磁嫡变高出 金属gd计划 和制备了纳米复合氧化物新体系，它们的中红外波段吸取 率可达 92%，在红外保暖纤维得到了应用发展了非晶完全晶化制备纳米合金的新方法发现全致密纳米合金中的反常hallpetch效应。

4质料 的巨磁阻效应LaSrMnO31992年5新的高温超导质料 MgB22001年 师资力气 如今 本专业从事凝结 态物理研究的团体 固体物理教研室有西席 16人，传授 8人此中 博士导师2人副传授 5人讲师和助教4人学术带头人苏文辉传授 ，现任吉林大学稀土固体物理研究室和物理系固体物理教研室主任，兼任中国科学院国际质料 。

大学物理实行 有杨氏模量，迈克尔逊干涉仪，全息照相，衍射光栅，单缝衍射，光电效应，用分光计丈量 玻璃折射率，透镜组基点的丈量 ，丈量 波的传播 速率 ，密里根油滴实行 ，模仿 示波器的利用 ，磁电阻巨磁电阻丈量 ，半导体电光光电器件特性丈量 等厚干涉 1杨氏模量 杨氏模量是形貌 固体质料 反抗 形变本领 的物理量。

因此，实行 陈诉 是实行 课学习的紧张 构成 部分 ，盼望 同砚 们能认真对待正规的实行 陈诉 ，应包罗 以下六个方面的内容1实行 目标 2实行 原理3实行 仪器装备 4实行 内容简单 步调 及原始数据5数据处理 惩罚 及结论6结果 的分析讨论 现就物理实行 陈诉 的具体 写作要点作一些先容 ，供同砚 们参考一。

面对 这种环境 ，大学物理的讲课 西席 在无奈状态下讲授 大学物理从大学物理课程陈诉 论坛上获悉，这不是个别学校的做法，在天下 具有广泛 性殊不知，力热光利用 磁性控制电子的输运，提出巨磁电阻效应giantmagnetoresistance，GMR，磁电阻MR界说 MR=ρ0+ρHρ0×100%式中ρ0为零场下的电阻率，ρH。

1988年，法国人起首 发现了巨磁电阻效应，到1997年，采取 巨磁电阻原理的纳米布局 器件已在美国问世，它在磁存储磁影象 和盘算 机读写磁头等方面均有广阔的应用远景 2002年9月，美国威斯康星州大学的科研小组公布 ，他们在室温条件下通过利用 单个原子，研制出原子级的硅影象 质料 ，其存储信息的密度是如今 光盘的100万倍这是。

纳米质料 的特点1外貌 与界面效应重要 缘故起因 就在于直径镌汰 ，外貌 原子数量 增多2小尺寸效应当纳米微粒尺寸与光波波长，传导电子的德布罗意波长及超导态的干系 长度透射深度等物理特性 尺寸相称 或更小时，它的周期性边界 被粉碎 ，从而使其声光电磁，热力学等性能出现 出“新奇 ”的征象 3。

而纳米微粒与介孔固体组装体系由于微粒本身 的特性，以及与界面的基体耦合所产生的一些新的效应，也使其成为了研究热门 ，按照此中 支持 体的种类可将它分别 为无机介孔复合体和高分子介孔复合体两大类，按支持 体的状态又可将它分别 为有序介孔复合体和无序介孔复合体在薄膜嵌镶体系中，对纳米颗粒膜的重要 研究。

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“纳米药物传输体系 ”项目研究限期 定为5年，当局 每年投资6000万美元，5年间当局 对项目标 均匀 资助金额为1600万美元，于2004年实行 重点研究范畴 涉及芯片实行 室lab－on －chip，把握 和处理 惩罚 有助于试验自构造 纳米布局 的功能和制备列为第一阶段的研究重点 英。